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2018-08-03 09:53 作者:公司公告 来源:环亚ag88

  研讨发现参加硼可解决LED发光功率下降现象

  密西根研讨团队11月宣布最新研讨,发现将化学元素硼(Boron)参加氮化铟镓 (INGan) 资料能够让LED半导体的中间层(middle layer)厚度变大,处理发光功率跟着注入电流的进步而下降的现象。这项研讨现已刊登于应用物理学快报(Applied Physics Letters)。

  发光二极管(Light-emitting diode)半导体由带有正电性质的P型半导体和带有电子的N型半导体组合,www.ag88环亚娱乐。通电后具有正电性质的电洞(hole) 会和电子(electron)结兼并产生光,在中间层的所运用的原料将决议波长长短。

  电子和电洞移动到中间层时,有太多的电子一起被挤压到中间层,会使其彼此磕碰、无法有用的和电洞结合,下降发光功率,而这种景象又称之为欧格再结合(Auger recombination)。

  而要处理这项问题的方法是添加中间层的厚度,好让电子和电洞有满足的空间;然而要添加中间层的厚度却没有幻想中简单。

  由于LED半导体是晶体状,原子间有其固定摆放规矩,而该特定距离又称为晶体参数(lattice parameter)。当晶体资料彼此层叠成长时,它们的晶格参数有必要类似,www.ag88环亚娱乐,原子摆放规矩与资料衔接处才干匹配,不然资料会变形。

  研讨者Williams和Kioupakis透过猜测模型发现,将硼参加氮化铟镓,能够添加中间层的厚度,以利电子和电洞结合。BInGaN资料宣布的光的波长也十分接近于氮化铟镓的波长,能够调整出不同的色彩。

  这项研讨是否能实践在实验室产出仍是未知数,而究竟要掺入多少的的硼元素也是一项应战,可是密西根研讨团队的发现对新式LED的研制是一大奉献。ag娱乐手机官方网站

  
 

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